长鑫存储与长江存储开始打破业务界限，展开激烈竞争
中国的存储芯片行业正迎来新的竞争局面。以往分别专注于不同市场领域的两大领先企业——长鑫存储（CXMT）和长江存储（YMTC），当前正加快向对方的核心业务领域进军，围绕DRAM和NAND市场的竞争正在加剧。过去几年，这两家公司在市场上保持着明确的分工：长鑫专注于DRAM内存芯片，而长江则致力于NAND闪存。然而，随着人工智能浪潮重新塑造了全球半导体供应链，这种业务边界逐渐模糊。
据产业链消息，长江存储已计划进军DRAM市场，其三期项目的新生产线预计将在2026年底进入试生产，初期聚焦于LPDDR5低功耗内存产品。试生产阶段将是设备调试、工艺优化和提升良率的重要时期。根据当前规划，长江存储初期的DRAM产能预期为每月2.5万片晶圆。虽然这一数字与国际巨头如三星、SK海力士或美光相比尚有差距，但对专注于NAND业务的长江存储而言，已是显著的战略转变。
与此同时，长鑫存储也在寻求拓展至NAND市场的机会。消息人士称，长鑫目前在北京计划新的NAND研发和试生产项目，并成立了相关的研究机构以推动NAND技术的发展。一些潜在客户，尤其是那些希望将闪存产品应用于人工智能系统及超级计算机存储的初创企业，已开始与长鑫接洽。 球友会
近年来，人工智能服务器的需求激增，不仅使HBM和DRAM市场持续火热，也推动了NAND闪存的需求上升。随着大量AI模型训练和推理任务产生的数据激增，数据中心对SSD和高容量存储设备的需求不断上升，替代了传统存储市场的供需平衡。市场数据显示，为了满足AI市场需求，全球主要存储制造商纷纷将更多产能转向高利润的DRAM和HBM产品，导致NAND供应增速放缓，从而提升了市场价格。在此背景下，长鑫进军NAND市场显得更具吸引力。
不过，相比于长江存储已明确进入DRAM市场的时间表，长鑫的NAND计划仍处于初期阶段，目前尚不清楚何时能够实现规模化生产。业内预计，相关生产线可能最早在2028年至2029年左右投入运营。
对于这两家公司而言，除了技术挑战，知识产权也可能成为未来竞争的关键焦点。随着双方逐渐进入彼此的传统优势领域，专利争夺、技术授权和人才竞逐可能成为新的摩擦点。特别是在中国存储产业快速发展的情境下，吸引拥有相关经验的研发及生产人员对两家公司而言至关重要。报告显示，长鑫正在积极招聘曾在长江存储工作的技术人才，以加快其NAND研发进程。而随着长江存储推进DRAM项目，未来两家公司在人才市场上的竞争也可能更加激烈。 球友会
此外，美国的出口管制仍将对中国企业未来的发展路径产生影响。对于长鑫来说，NAND领域特别依赖先进的3D NAND堆叠技术，而相关设备和技术的获取难度依然较高。因此，在受到限制的条件下实现技术突破，将成为其扩张计划能否实施的重要因素。
分析人士指出，长鑫与长江存储曾分别代表中国DRAM和NAND两个阵营，如今两者开始向全面存储业务延伸，这标志着中国存储产业正进入新的整合与竞争阶段。在全球AI算力需求持续增长的背景下，无论是DRAM还是NAND，均成为核心战略资源。随着这两家中国存储巨头逐步展开正面竞争，围绕技术、产能、人才及市场份额的存储芯片争夺战悄然拉开帷幕。
